1200V/1.75mΩ SiC半桥模块
第三代半导体材料-碳化硅 The 3rd generation semiconductor material Silicon Carbide
阻断电压 1200V Blocking Voltage 1200V
低内阻、低开关损耗 Low RDS(on)、Low Switching Losses
低电感设计Ls≤5nH Low Inductive Design，Ls≤5nH
最大工作结温175℃ Tvj op=175℃
高性能氮化硅陶瓷 High Performance Si3N4 Ceramic
铜直接冷却底板 Direct Cooled Cu PinFin Base Plate
集成NTC Integrated NTC
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0551-68281313