电动汽车/EV IGBT模块
低导通压降，采用沟槽&场截止技术 Low VCEsat with Trench & Field Stop IGBT technology
正温度系数导通压降 VCEsat with positive temperature coefficient
低杂散模块结构 Low inductance module structure
高短路能力(6us) High short circuit capability(6us)
最大结温175℃ Maximum junction temperature 175℃
集成NTC温度传感器 Integrated NTC temperature sensor
标准封装 Standard housing
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0551-68281313