1200V/900A IGBT半桥模块
1200V沟槽栅 场终止工艺 1200V Trench Gate
Field-Stop Process
低电磁干扰 Low EMI
VCEsat 带正温度系数 VCEsat with Positive Temperature Coefficient
集成温度传感器 Integrated Temperature Sensor
低热阻三氧化二铝（Al2O3）衬底 Al2O3 Substrate with Low Thermal Resistance
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