1200V/25A PIM模块
沟槽IGBT技术 Trench IGBT technology
10μs短路能力 10μs short circuit capability
VCE(sat)呈正温度系数 VCE(sat) with positive temperature coefficient
最大结温175℃ Maximum junction temperature 175℃
低杂感封装 Low inductance case
反并联快软恢复二极管 Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD
采用DBC技术隔离铜基板 Using DBC technology
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0551-68281313