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AMG150H12TMM3LB (ACT)

1200V 150A IGBT半桥模块

1200V沟槽栅 场终止工艺 1200V Trench Gate Field-Stop Process

低电磁干扰 Low EMI

VCEsat 带正温度系数 VCEsat with Positive Temperature Coefficient

低开关损耗 Low Switching Loss

10μs短路能力 10μs Short-circuit Capability

应用行业:

电机驱动 Motor Drives 大功率变流器 High Power Converter 不间断电源 UPS Systems 焊机 Welding Machine

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