碳化硅，听说你很有名？博世碳化硅小身材，大能量（上）

博世在半导体领域，特别是汽车半导体领域耕耘逾60载，碳化硅研发经验更是超过20年。博世的碳化硅产品分为750V和1200V两种规格，本文为各位盘点一二博世750V碳化硅产品。

博世第二代碳化硅

相较于其他硅基器件，博世第二代碳化硅将开关频率提高了3-5倍，减少约50%的损耗，可延长电动汽车约6%的续航里程，使得更小的电池成为可能，有助于降低新能源汽车的运行成本。该产品能够在较高电压和温度下运行，大幅降低了电动汽车的充电时间。

与此同时，碳化硅功率模块具备超高的功率密度，它比传统的硅基功率模块体积更小，能节省更多控制器内部的安装空间。整体而言，该产品能够助力更强大、更可靠的汽车系统，从而提升终端用户车辆的整体性能和驾驶体验。

对比第一代产品，第二代碳化硅芯片功率密度更高，改进了体二极管，进一步加快了开关速度，并降低了开关损耗。

在沟槽工艺方面，博世第二代碳化硅MOSFET芯片进一步降低30%的pitch size，实现单位面积Rdson 30%的缩减，Rdsonsp进一步得到降低。博世专利的沟槽技术遥遥领先于平面型工艺碳化硅的技术表现，有利于芯片性能表现、产出与成本控制。

博世第二代750V碳化硅

博世第二代750V碳化硅于2023年第三季度正式SOP，支持更高的结温耐受，支持短时在最高200℃的温度下连续运行（生命周期累计不超过100小时），实现碳化硅电桥短时BOOST模式（短时输出更大的功率），以及更好的高温性能：

参数及优势：

博世在德国罗伊特林根拥有自己的SiC晶圆制造厂，具备研发与生产的能力。可以对来自上下游工艺步骤的反馈做出迅速反应，并持续改善优化工艺质量与产品质量。

同时博世在美国罗斯维尔的工厂预计将于2026年前开始生产SiC产品，罗斯维尔的投产将进一步满足全球电车市场对碳化硅的强劲需求。

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