随着全球汽车行业向电动化转型的加速，碳化硅（SiC）技术正成为新能源汽车领域的关键驱动力。碳化硅技术以其高效率、高耐压、高频率的特性，正在重新定义新能源汽车的性能标准。SiC器件的高温稳定性和快速开关能力，使得电动汽车的续航能力得到显著提升，同时大幅缩短了充电时间。在中国，SiC技术的渗透率正以前所未有的速度增长，预示着新能源汽车技术的新时代。2024年北京车展上，SiC技术的应用和创新成为了最大的亮点之一，各大车企纷纷展示了他们在SiC技术上的最新进展和未来愿景：从乘用车到商用车，从800V高压平台到充电设施，SiC技术正以其独特的优势，推动着新能源汽车技术的革新。本次车展上，众多车企及上游厂商展示了他们在SiC技术应用上的最新进展：
l 小米汽车：小米发布的SU7汽车，包括搭载400V电驱平台的SU7标准版和SU7 Pro版，以及搭载800V电驱平台的SU7 Max版。
l吉利汽车：吉利展示了其碳化硅混合驱动集成技术，该技术能够降低75%以上的碳化硅用量，同时实现更高综合效率，推动800V电压平台的全面普及。
l岚图汽车：岚图汽车发布了全栈自研的碳化硅平台，其电控最高效率可达99.4%，搭载了全球效率最高的800V高效率电驱系统，工况效率达到92.5%。
l广汽埃安：埃安首次将碳化硅技术应用于400V平台，提升了电控的最高效率至99.85%，并使车辆在400V平台下15分钟内充电可达370km。
l蔚来：蔚来展示了自研的1200V碳化硅功率模块，其行政旗舰车型ET9搭载了面向900V的碳化硅电驱平台。
l博世：博世展出了新一代碳化硅功率模块CSL和LSL，采用博世第二代1200V，9毫欧的碳化硅（SiC）芯片，具有显著优势，已在多个车型上成功定点。
l博格华纳：博格华纳展示了Viper功率模块，采用双面水冷散热设计，有效提高了逆变器的功率密度，同时展示了乘用车和商用车800V碳化硅电机控制器。
l精进电动：精进电动展出了自研的800V碳化硅逆变器，该逆变器具有高开关频率、高效率和高功率密度等优点，是国内首款全自主的电驱动控制器产品。
l比亚迪半导体：比亚迪半导体展出了1200V 1040A SiC模块，采用全桥拓扑、pinfin设计和双面银烧结工艺，主要应用于新能源汽车电机驱动控制器。
l三安半导体：三安半导体展示了1200V 8mΩ SiC MOSFET，是其目前MOS 1200V电压平台最小导通电阻、最大额定电流产品，具有优越的电性能。
阿基米德半导体的SiC产品以高性能、高可靠性和先进的制造工艺著称，其产品在新能源汽车电驱动系统中的应用，能够显著提升整车的能效和性能。阿基米德半导体的SiC模块采用先进的封装技术，具有更低的导通电阻和更高的热效率，这些特性使其在高性能电动汽车的应用中具有显著优势。针对高端电动车的系统需求，阿基米德半导体重点推出了电流密度更高、满足800V高压平台的ACD模块(单面水冷塑封SiC模块)。该模块融合了尖端技术，内置先进的SiC芯片，采用有压型银烧结互连工艺和Cu Clip键合技术，确保了卓越的电气连接性能和热管理。使用的Si3N4 AMB陶瓷基板不仅增强了机械强度和热导性，还提高了整体的耐用性和可靠性。模块的直接水冷Pin-Fin结构设计优化了散热效率，允许在高功率应用中维持低温运行。ACD模块展现了低杂感、低动态损耗和低导通电阻的特点，同时提供了高阻断电压和高电流密度，确保了在严苛条件下的高性能和高可靠性。
产品具有以下优势：
l先进散热系统：通过新型水道结构设计和直接水冷技术，ACD模块实现了精确的温控和低系统热阻，确保了芯片间温度分布的高度一致性，增强了模块的稳定性与可靠性。
l低杂感设计：采用Cu-Clip工艺取代传统绑定线技术，减少了寄生电感和电阻，优化了电气路径，提升了产品可靠性，并有效避免了大功率模块中的稳定性问题。
l银烧结技术：允许模块在更高结温下稳定工作，显著增强了焊接强度和热疲劳寿命，远超传统焊料封装解决方案，提升了产品的耐热性能和使用寿命。
l性能优势：相较于市场上其他同类模块，ACD模块展现了更低的导通电阻、更小的寄生电感和更低的热阻，同时实现了尺寸缩减和功率密度提升。
l满足新能源汽车需求：ACD模块的创新设计满足了新能源汽车对高效能、长寿命和极致可靠性的严苛要求，预计将成为未来车企的首选技术，推动行业发展和技术创新。
随着技术的不断成熟和市场的不断扩大，阿基米德半导体也将在SiC领域扮演更加重要的角色，为全球客户提供更加高效、可靠的半导体解决方案。
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