2026上海SNEC国际光伏储能展｜8.1H-A560 阿基米德半导体展台重磅发布：1200V/4mΩSiC半桥模块专为10kV级SST固态变压器量身定制，破解新型电力系统中压变换国产化痛点！
产品优势及市场状况
行业标准Easy2B封装,
高频高效:SiC MOS Half Bridge
低关断电压应力
PCS及电能质量领域出货量排名前列
UL/Rohs/Reach符合
可靠稳定
应用/Application
10kv SST
伴随新型电力系统、源网荷储一体化、AI智算中心、兆瓦级超充站加速落地，10kV SST 固态变压器作为新一代电能路由器，成为光伏并网、直流微网、高压快充、AI算力、数据中心等供电的核心刚需。传统硅基 IGBT 受制于导通损耗大、开关频率低、反向恢复损耗高，难以实现SST产品的高频化、小型化、高效率要求；阿基米德半导体自研1200V/4mΩSiC半桥模块，以4mΩ超低导通电阻的硬核性能，成为10kV级联式SST功率单元优选器件，助力国产SST实现效率跃升、体积精简、成本优化三重突破。
这款半桥SiC模块额定耐压1200V、连续额定电流240A、脉冲峰值电流480A，完美匹配10kV SST功率单元800V直流母线级联拓扑，简化系统控制逻辑，规避高压工况器件过压隐患。依托SiC原生零关断拖尾电流、极低反向恢复电荷特性，25℃工况开通损耗仅4.11mJ、关断损耗5.88mJ，体二极管反向恢复损耗低至0.34mJ，支撑SST主功率DAB变换器达到更高的效率，SiC的高频特性让SST开关频率可以达到20kHz~100kHz高频化直接缩减高频变压器、滤波元器件体积，对比工频变压器方案整机功率密度大幅提升。
热管理与可靠性全方位适配中高压严苛工况：模块结壳热阻仅0.295K/W，最高安全结温175℃，-40℃~175℃超宽工作温区，适配户外光伏电站、高温机房、重载充电站多场景高低温波动；内置NTC 5kΩ温度传感器，实时采集芯片温度，配套SST整机温控保护设计；3kV绝缘耐压、规范爬电与电气间隙设计，氧化铝绝缘基板，满足10kV电网侧安规绝缘标准，抵御高频dv/dt冲击，杜绝级联系统误导通风险。
除10kV SST主赛道外，该系列模块同步覆盖工业感应加热、大功率电焊机、大功率DC-DC、UPS不间断电源多赛道。对于固态变压器阿基米德半导体也在同步开发2300V 4-6mΩ的SiC模块和三电平的SiC模块赋能SST超级级赛道落地。
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