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封测服务

1.生产概述

阿基米德半导体提供工业级及汽车级IGBT功率模块和分立器件塑料外型封装(TO系列)封测服务。

● IGBT模块被认为是电力电子行业的“CPU”,提供封测服务有ACH(HP drive系列)、ACE(Econo系列)、ACF(Flow系列)、ACP(Easy系列) 及其他定制型新型封装。

● 分立器件TO系列采用Through Hole或贴片SMT技术的主封装,提供封测服务有TO220-2L/3L、TO263-2L/3L(D2PAK)、TO247-2L/3L/4L、TO247 Plus等。

2.应用领域

●  IGBT模块被认为是新能源电力电子的核心,被广泛应用于光伏、储能、充电及新能源汽车行业等。

●   TO系列塑封封装被认为是最成熟的工业标准封装之一,常用的电源、变频器和电机控制电源、手持式仪器电池供电的消费产品等。

3.产品特征

●  符合或参考JEDEC/AEC标准

●  无铅工艺和Green材料选择

●  可定制化设计能力和广泛的产品种类,以满足不同客户的需求

4.设计规则

●  TO系列

    指标 TO220/TO263 TO247
晶圆 最大晶圆尺寸 4~8inch 4~8inch
SiC晶圆切割能力4inch, 6inch4inch, 6inch
晶圆厚度Min 60umMin 60um
切割道宽度Min 50umMin 50um
顶层铝层金属厚度3~5um3~5um
最小芯片大小 (含切割道)1.0 x 1.0 mm1.0 x 1.0 mm
框架 框架冲压方式 Stamping Stamping
框架类型裸铜裸铜
框架铜材牌号C19210C19210
框架厚度0.5mm/1.27mm0.6mm/2.0mm
焊接 焊接能力 软焊锡
(Mapping, Writting)
软焊锡
(Mapping, Writting)
最大芯片大小7.00X5.04 mm11.73 × 6.65 mm
键合 键合方式 超声焊 超声焊
铝线线径5, 8, 10, 12, 15, 20 mil5, 8, 10, 12, 15, 20 mil
最大打线数量3x20mil Al wire4x20mil Al wire
注塑 注塑方式 MGP mold MGP mold
塑封料等级高等级高等级
电镀 电镀类型 暗锡 暗锡
测试 静态测试能力 2000V/100A 2000V/100A
动态双脉冲测试700V/300A700V/300A
包装方式Tube/ReelTube
QAT方式100% QA测试100% QA测试

●  TO系列封装外形

封装种类 管脚数 间距 管脚宽度 管脚厚度 数量/Tube 内盒 外盒
TO247-2L 3 10.88 1.2 0.60 30 600 2400
TO247-3L 3 5.44 1.2 0.60 30 600 2400
TO247-4L 4 2.54/5.08 1.2 0.6 30 600 2400
TO247 Plus 3 5.44 1.2 0.6 30 600 2400
TO220-2L 2 5.08 0.80 0.5 50 1000 6000
TO220-3L 3 2.54 0.80 0.5 50 1000 6000
TO263-2L 2 5.08 0.80 0.5 - 800 4000
TO263-3L 3 2.54 0.80 0.5 - 800 4000

●  IGBT模块系列 可客制化设计

封装型别 PIC
ACE
ACP2
ACF-0
ACH

5.可靠性实验能力

 试验项目 & 试验条件 & 判定标准

测试项目 试验条件 参考标准 选样数 判断标准(A/R)
高压蒸煮试验
AC
121 ℃, 29.7 psi, 100% RH, 96hrs JESD22-A102 22/45/77 0/1
高加速老化试验
HAST
TA =130℃, 85% RH, 33.3 psi, Vds=80%Spec(42V max) 96hrs JESD22-A110 22/45/77 0/1
高温反偏试验
HTRB
TJ = 150℃/specified TJ(max),Vds=80%Spec 1000Hrs JESD22-A108
AEC-Q101
22/45/77 0/1
高温栅极反偏试验
HTGB
TJ = 150℃/specified TJ(max),Vgs=100%Spec 1000Hrs JESD22-A108
AEC-Q101
22/45/77 0/1
高温高湿偏压
H3TRB
85℃;85% RH; Vgs=80%spec 1000V MAX,1000Hrs AEC -Q101
JESD22-A101
22/45/77 0/1
恒温恒湿实验
THT
Ta = 85℃ 85%RH JESD22-A101 22/45/77 0/1
高温存储试验
HTSL
TA=150℃,1000Hrs JESD22-A103&A113 22/45/77 0/1
低温存储试验
LTSL
TA=-40℃,1000Hrs JESD22-A119A 22/45/77 0/1
不偏压高速老化
UHAST
130℃;85% RH ; 96hrs JESD22-A118 22/45/77 0/1
温度循环
TC
-65℃~+150℃, Dwell =15min,1000 cycles JESD22-A104 22/45/770/1
温度冲击
TS
-40℃~+150℃, Dwell =30min,1000 cycles JESD22-A106 22/45/770/1
间歇试验
IOL
△Tj >=100℃; ton/toff = 2 min, 15Kcycs MIL-STD750 22/45/770/1
功率循环
PC
△Tj >=60℃; 0.5s<ton/ toff <5s, 150Kcycs JESD22-A122A 22/45/77 0/1
耐焊接热
RSH
Solder dip 260℃
3*10s
JESD22A-A113
J-STD-020
10 0/1
易焊性
SD(Solder ability)
245℃,5s,solder area>95% JESD22-B102 10 0/1

6.测试能力

 公司提供全套的电力设备测试服务,包括最终测试、电性测试和可靠性测试。

7.技术优势

◇  IGBT功率模块封装测试

◇  TO功率器件封装测试

◇  全流程数字孪生正向设计

◇  多芯片均流设计

◇  开关电磁场仿真计算

◇  热应力/翘曲优化能力

◇  模块最高结温与均温设计