在近期闭幕的第26届电子封装技术国际会议(ICEPT 2025)上，阿基米德半导体实习生武汉大学硕士研究生陈安宁斩获ICEPT 2025最佳学生论文奖，其实习期间研发和工作成果获得行业认可。此外，本次ICEPT会议阿基米德半导体一共6名硕士和博士研究生将实习期间科研和技术成果凝练，提交的六篇学术论文全部被大会接收并发表，覆盖电力电子、封装设计、封装材料、测试等多个关键研究方向。
（一） 新星闪耀，摘得最佳荣誉
值得庆贺的是，由阿基米德研发团队实习生、硕士研究生陈安宁主导完成的论文《Bonding-Wire Topology Reconstruction for Turn-on Voltage Bump Suppression and Switching Loss Optimization in High-Power IGBT Modules》，凭借其创新性和技术价值，从众多高水平研究中脱颖而出，荣膺大会“学生优秀论文奖”！该奖项不仅是对获奖者个人科研能力与潜力的高度认可，更是阿基米德研发体系重视青年人才培养、构建卓越创新梯队战略成效的有力证明。
（二） 获奖论文核心贡献
该研究针对1200V/900A高功率IGBT模块导通瞬态电压鼓包（Voltage Bump）问题展开攻关。论文通过理论创新与实验验证取得三项关键突破：
1、 揭示电压凸起形成机制：建立功率回路与栅极驱动回路的电磁耦合模型，证明共源极杂散电感（LCS）在电流上升阶段产生的互感效应是电压凸起的根本成因。
2、 提出键合线几何优化理论：基于多芯片并联拓扑分析，提出发射极键合点位于芯片阵列几何中心时，共源极杂散电感最小。在阿基米德ACE封装模块上实现工程转化，使LCS从10.4 nH降至6.9 nH
3、 实现开关性能显著提升：在150℃结温600V/900A双脉冲测试中完全消除电压鼓包；电流上升率(dIC/dt)提升11.6% (6404→7146 A/μs)；导通损耗(Eon)降低38.4% (106.2→65.4 mJ)；总开关能耗(Etotal)下降19.4%。该方案为高压大功率IGBT模块提供了可量产的封装级解决方案。
（三） 技术立本，创新驱动未来
阿基米德半导体研究成果直接服务于公司核心功率半导体产品的性能提升、可靠性保障与前沿技术布局，为阿基米德在数据中心、新能源及汽车电子等关键市场的持续突破与领先提供了强大的底层技术引擎。
步履未停，创新不止！祝贺所有参与论文研究的研发团队成员！这份荣誉属于每一位潜心钻研、锐意进取的阿基米德人。期待全体同仁以此为新起点，继续深耕功率半导体封装核心技术，勇闯科研“深水区”，用更硬核的创新成果，共同推动阿基米德在广阔的功率半导体赛道上加速领跑，再创辉煌！
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